O Samsung Galaxy S8 será o smartphone mais poderoso e mais completo do primeiro semestre de 2017, isso é sem dúvida. Apesar da falta de certeza sobre suas características técnicas (todas as informações que sabemos nascem de rumores), sabemos que será o smartphone topo de gama da Samsung, superior a todos os anteriores. Nesse sentido, vimos a potência bruta do SoC Qualcomm Snapdragon 835 ou o SoC Exynos 8895, um dos quais passou um teste de desempenho na plataforma de benchmark AnTuTu, com os resultados esperados.
O smartphone coreano estabeleceu um novo recorde. O resultado foi de 205.000 pontos que facilmente ultrapassa os 181.807 pontos do iPhone 7, e os 162.423 do OnePlus 3T. Em resumo, vemos uma melhoria em relação à primeira posição oficial hoje (embora AnTuTu não tenha mostrado oficialmente os dados desde que ainda não foi testado o suficiente). O resultado leva em conta o processo de produção de 10 nm com o qual os dois SoCs são feitos.
Em qualquer caso, ainda não sabemos qual modelo é usado para realizar o teste, mas podemos imaginar que ambos terão um desempenho semelhante. Teremos de esperar mais de uma semana para conhecer as primeiras especificações oficiais deste smartphone em todas as suas variantes. Em seguida, confirmaremos todas as versões disponíveis, as cores a serem oferecidas, o número de SIMs, a tomada de fone de ouvido, o conector USB Type-C eo botão físico dedicado ao Bixby, o assistente de voz do novo carro-chefe.
É por isso que queremos lembrar que o Samsung Galaxy S8 (eo modelo Plus) será apresentado em 29 de março em um evento organizado em Nova Iorque, enquanto a comercialização deve começar em 28 de abril (data a ser confirmada), atrasada uma semana devido a produção em massa insuficiente do processador.