El Samsung Galaxy S8 será el smartphone más potente y más completo de la primera mitad de 2017, de eso no hay dudas. A pesar de la falta de certezas sobre sus características técnicas (toda la información que conocemos nace de rumores), sabemos que será el smartphone tope de gama de Samsung, superior a todos los anteriores. Con respecto a esto, hemos conocido la potencia bruta del SoC Qualcomm Snapdragon 835 o del SoC Exynos 8895, uno de los cuales ha pasado una prueba de rendimiento en la plataforma de benchmark AnTuTu, con resultados esperados.
El smartphone coreano ha establecido un nuevo récord. El resultado fue de 205.000 puntos supera con bastante facilidad los 181,807 puntos del iPhone 7, y los 162.423 del OnePlus 3T. En resumen, comprobamos una mejora en comparación con la primera posición oficial actual (aunque AnTuTu no ha mostrado los datos oficialmente, visto que aún no ha sido probado un número suficiente de veces). El resultado tiene en cuenta el proceso de producción de 10 nm con el que se realizan los dos SoC.
En todo caso, aún no sabemos cuál es el modelo utilizado para realizar la prueba, pero podemos imaginar que ambos tendrán una potencia similar. Tendremos que esperar más de una semana todavía para conocer las primeras especificaciones oficiales de este smartphone en todas sus variantes. Confirmaremos entonces todas las versiones disponibles, los colores a los que se pondrá a la venta, el número de SIM, la toma de auriculares, el conector USB Type-C y el botón físico dedicado a Bixby, el asistente de voz del nuevo buque insignia.
Por eso, queremos recordar que la presentación del Samsung Galaxy S8 (y el modelo Plus) se llevará a cabo el 29 de marzo en un evento organizado en Nueva York, mientras que la comercialización debe comenzar a partir del 28 abril (fecha por confirmar), retrasado una semana debido a la producción en masa insuficiente del procesador.